（原标题：三星豪赌下一代DRAM掌上乾坤，存储大厂预警：前景不妙）
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三星电子宣布成立一个工作组，致力于推进第七代 DRAM 的量产。这一举措被视为潜在的游戏规则改变者，旨在颠覆高带宽内存 (HBM) 领域及其他领域的当前动态。这一声明是在业内竞争对手 SK Hynix 和美光的激烈竞争中发布的，这两家公司都在 DRAM 技术方面取得了重大进展。
去年，SK海力士完成了第六代DRAM（D1c）的开发，并于8月对D1d进行了工艺可靠性评估。该公司目前已确保该代产品的量产能力，并计划从今年下半年开始将其应用于通用DRAM。在去年 1 月举行的业绩发布会上，SK 海力士强调了其战略投资，旨在提高产量，以应对未来的 HBM 供应形势。 SK海力士相关人士表示：“未来我们将把1c纳米工艺应用于HBM4E，通过及时开发和供应来保持市场领先地位。”
与此同时，美光公司上个月也通过向潜在客户运送基于“1γ”（伽马）的 DDR5 样品引起轰动，这与他们在 D1c 技术方面的进步相一致。尽管在第五代 DRAM 方面最初落后于三星电子，但 SK 海力士和美光去年都成功将 D1b 商业化。
三星决定停止生产较旧的 10 纳米 (1z) 工艺 LPDDR4 8 千兆位芯片，这突显了三星重新关注第 7 代 DRAM。作为此次战略改革的一部分，三星 DS 部门负责人 Jeon Young-hyun 已下令对 D1a（第 4 代）电路进行部分重新设计。该公司计划于 2026 年开始量产 10 纳米级 D1d，并于 2027 年开始量产亚 10 纳米级第一代 DRAM（D0a）。
随着三星电子踏上推进第七代 DRAM 技术的雄心勃勃的征程掌上乾坤，行业观察家将密切关注这些发展如何影响全球内存市场动态。随着 SK 海力士今年专注于高带宽内存投资，以及美光公司推进其 DDR5 产品，技术领先地位的竞争仍在继续。其结果可能不仅会影响企业的命运，还会影响未来几年半导体行业的更广泛趋势。
SK海力士预警：前景不妙
韩国记忆体大厂SK海力士昨日公布上季财报优于市场预期，惟公司示警下半年记忆体状况不妙，主因美国关税政策未定，使得全球总体经济不确定性大，可能导致需求波动。法人忧心，下半年记忆体市场飘来乌云，恐不利南亚科、威刚、十铨等台厂后市。
法人目前普遍对记忆体后市保守看待，预期下半年可能将再度出现「价量齐跌」惨况，须待美国关税政策实施后，才有机会进一步明朗。
上半年记忆体市场有AI产品需求畅旺，以及业界赶在美国对电子产品加征关税前提前拉货等助力，惟市场普遍忧心提前备货的急单潮退去后，下半年旺季需求恐受影响，SK海力士昨天股价因此未随上季亮眼财报起舞，终场下挫1.5%。
SK海力士首季净利比去年同期大增322%、达8.11兆韩元，营业利益年比暴增157.8%、达7.44兆韩元（约52亿美元），营收年增41.9%至17.64兆韩元，为历来单季次高，这三个数字也都优于市场预期。不过，上季营业利益季比下滑7.9%，营收季减10.8%，反映传统淡季影响。
展望后市，SK海力士警告，美国税政策等总经不确定性已导致需求波动，将影响下半年记忆体市况。
SK海力士指出，虽然一些国家之间的对等关税措施目前已经暂停，但对半导体产品可能遭课征关税的忧虑日渐升高，惟该公司预期关税对其AI伺服器需求的影响有限掌上乾坤，PC和智能手机等消费电子产品的需求，也预料将受惠于业者今年陆续推出新款配备AI功能的新产品。
业界指出，当前非AI应用记忆体市况，大致可分为消费性及车用、工控等利基型市场。
其中，消费性市场DRAM、储存型快闪记忆体（NAND Flash）随着记忆体晶片大厂减产效应奏效，加上首季OEM／ODM回补库存需求强劲，使得DDR4／DDR5标准型DRAM出现价量回升趋势，NAND Flash同样出现止跌回升商机。
至于车用、工控市场需求仍相对疲弱，但价格亦有升温迹象。
由于美国加征关税政策可能在第2季全面到来，届时OEM／ODM厂及终端通路拉货成本都会大幅提升，因此，对消费性市场的冲击可能延伸到至少今年底。
SK海力士DRAM行销主管坦言，因为关税政策变动和其他管制，需求不确定性将升高，但这将加速IT消费品的需求，因为一些消费者赶在涨价前抢购产品。 SK海力士也试图安抚投资人，表示关税带动的囤货不会导致客户库存过多，不致重创下半年的需求和获利。
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